Mendeley出力
Modellierung der parasitären passiven elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen / Michael Heeb
(Elektrische Energiesysteme ; ; Band 6)
| データ種別 | 電子ブック |
|---|---|
| 出版者 | Kassel, Germany : Kassel University Press |
| 出版年 | 2014 |
| 本文言語 | ドイツ語 |
| 大きさ | 1 online resource (192 pages) : illustrations (some color) |
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| 資料種別 | 機械可読データファイル |
|---|---|
| 内容注記 | ""Front cover ""; ""Reihentitel ""; ""Titelseite ""; ""Impressum ""; ""Verzeichnis ""; ""1 Einleitung ""; ""2 Grundlagen Hochfrequenzschwingungen ""; ""2.1 Abschaltschwingungen ""; ""2.2 PETT-Effekt ""; ""3 Messungen ""; ""3.1 Testobjekte ""; ""3.1.1 Aufbau des 1700V-Substrats ""; ""3.1.2 Aufbau des 1200V-Substrats ""; ""3.2 Messaufbau ""; ""3.2.1 Doppelpulsverfahren nin einer Tiefsetzerschaltung ""; ""3.2.2 Aufbau-Zwischenkreis ""; ""3.2.3 Aufbau Schutzmessbox ""; ""3.2.4 Oszilloskop und Messequipment ""; ""3.3 FFT-Analyse ""; ""3.4 Inbetriebnahme des Versuchsaufbaus "" ""3.4.1 Bestimmung der InduktivitÃ?t im Zwischenkreis """"3.4.2 Verifikation der Antennmessung ""; ""3.5 Messungen am 1700V-Substrat ""; ""3.5.1 Variation der Spannung ""; ""3.5.2 Variation des Stroms ""; ""3.5.3 Einfluss der ZwischenkreisinduktivitÃ?t Lk ""; ""3.5.4 Untersuchung der Resonanzkreise ""; ""3.5.5 Einfluss der LeitungsinduktivitÃ?ten ""; ""3.6 TemperaturabhÃ?ngige Messungen am 1200V-Substrat ""; ""3.7 Zusammenfassung der Messuntersuchungen ""; ""4 Prognose der PETT-Oszillationsgrenzen ""; ""4.1 Konstante Driftgeschwindigkeit ""; ""4.2 OrtsabhÃ?ngige Driftgeschwindigkeit "" ""4.3 Driftgeschwindigkeit in AbhÃ?ngigkeit von der LÃœcherstromdichte """"4.4 TemperaturabhÃ?ngigkeit der Driftgeschwindigkeit ""; ""5 Simulation ""; ""5.1 Allgemeiner Aufbau des Resonanzkreises ""; ""5.2 Bestimmung der HalbleiterkapazitÃ?t ""; ""5.3 Bestimmung parasitÃ?rer Resonanzkreise ""; ""5.3.1 Q3D Extractor ""; ""5.3.2 HFSS ""; ""5.3.3 Beispielsimulation einer zweifachen Bonddrahtanordnung ""; ""5.4 Schaltungssimulationen ""; ""5.4.1 Einfacher Schwingkreis in SIMetrix ""; ""5.4.2 Einfacher Schwingkreis in Ansoft Designer ""; ""5.5 Simulation des 1700V-Substrats "" ""5.5.1 Einfacher Schaltaufbau aus konzentrierten Elementen """"5.5.2 Komplexer Schaltaufbau mittels eines Q3D Extractor-Modells ""; ""5.5.3 Komplexer Schaltaufbau mittels eines HFSS-Modells ""; ""5.6 Simulation des 1200V-Substrats ""; ""5.7 Zusammenfassung Simulation ""; ""5.8 Vorhersage von PETT-Oszillationen ""; ""5.8.1 Vorhersage am Beispiel des 1700V-Substrats ""; ""5.8.2 Vorhersage am Beispiel des 1200V-Substrats ""; ""6 Zusammenfassung und Ausblick ""; ""Anhang ""; ""Verzeichnis verwendeter Symbole und Formelzeichen ""; ""Danksagung ""; ""Literaturverzeichnis ""; ""Back cover "" |
| 一般注記 | Open Access Includes bibliographical references Online resource; title from PDF title page (ebrary, viewed September 19, 2014) |
| 著者標目 | *Heeb, Michael, |
| 件 名 | BSH:Electronic books LCSH:Power semiconductors LCSH:Computer simulation BISACSH:TECHNOLOGY & ENGINEERING -- Mechanical 全ての件名で検索 FREE:Computer simulation FREE:Power semiconductors |
| 分 類 | DC23:621.317 |
| 書誌ID | ED00003499 |
| ISBN | 9783862197538 |